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2N2222AE4

2N2222AE4

Nur als Referenz

Teilenummer 2N2222AE4
PNEDA Teilenummer 2N2222AE4
Beschreibung TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N2222AE4 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N2222AE4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N2222AE4 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)800mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

2N3393

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 2mA, 4.5V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92

TIP30CTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

300µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

ZX3CD3S1M832TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP + Diode (Isolated)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

370mV @ 250mA, 2.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 1.5A, 2V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

190MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MLP (3x2)

ZXTN19100CFFTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

235mV @ 450mA, 4.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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