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2DD1766R-13

2DD1766R-13

Nur als Referenz

Teilenummer 2DD1766R-13
PNEDA Teilenummer 2DD1766R-13
Beschreibung TRANS NPN 32V 2A SOT89-3
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.140
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2DD1766R-13 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2DD1766R-13
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2DD1766R-13, 2DD1766R-13 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 228,37 KB)
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2DD1766R-13 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)32V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic800mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 500mA, 3V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang220MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89-3

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Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3A, 1V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

2SCR513RTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

145MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/207

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 40mA, 750mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 750mA, 4V

Leistung - max

1.75W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can

Lieferantengerätepaket

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