24LC02BT-E/MNY
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| Teilenummer | 24LC02BT-E/MNY |
| PNEDA Teilenummer | 24LC02BT-E-MNY |
| Beschreibung | IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TDFN |
| Hersteller | Microchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.788 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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24LC02BT-E/MNY Ressourcen
| Marke | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 24LC02BT-E/MNY |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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24LC02BT-E/MNY Technische Daten
| Hersteller | Microchip Technology |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | EEPROM |
| Technologie | EEPROM |
| Speichergröße | 2Kb (256 x 8) |
| Speicherschnittstelle | I²C |
| Taktfrequenz | 400kHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 5ms |
| Zugriffszeit | 900ns |
| Spannung - Versorgung | 2.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-TDFN (2x3) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 33MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 250ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 40-TSOP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (8x12.5) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-TFBGA (6.4x10.1) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 450ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (8x12.5) |
