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1SS362TE85LF

1SS362TE85LF

Nur als Referenz

Teilenummer 1SS362TE85LF
PNEDA Teilenummer 1SS362TE85LF
Beschreibung DIODE ARRAY GP 80V 80MA SSM
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 6.246
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1SS362TE85LF Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1SS362TE85LF
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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1SS362TE85LF Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)80mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSSM

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

90µA @ 120V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

180mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

3µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5nA @ 75V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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1SS383T1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82

Lieferantengerätepaket

SC-82

MBR40080CTR

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

400A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Twin Tower

85CNQ015A

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

450mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 15V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

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