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1SD418F2-CM800E2C-66H

1SD418F2-CM800E2C-66H

Nur als Referenz

Teilenummer 1SD418F2-CM800E2C-66H
PNEDA Teilenummer 1SD418F2-CM800E2C-66H
Beschreibung MODULE GATE DVR P&P SCALE 1
Hersteller Power Integrations
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1SD418F2-CM800E2C-66H Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1SD418F2-CM800E2C-66H
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
1SD418F2-CM800E2C-66H, 1SD418F2-CM800E2C-66H Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 150,19 KB)
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1SD418F2-CM800E2C-66H Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung14.5V ~ 15.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 30V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

18ns, 18ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

28ns, 32ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IR2113-1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

3.3V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 17ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads

Lieferantengerätepaket

14-PDIP

TLE7182EMXUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 34V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

55V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

250ns, 200ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

PG-SSOP-24-4

IRS2890DSPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

220mA, 480mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

85ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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