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1SD312F2-CM900HB-90H

1SD312F2-CM900HB-90H

Nur als Referenz

Teilenummer 1SD312F2-CM900HB-90H
PNEDA Teilenummer 1SD312F2-CM900HB-90H
Beschreibung IGBT GATE DRIVER PLUG&PLAY
Hersteller Power Integrations
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1SD312F2-CM900HB-90H Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1SD312F2-CM900HB-90H
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
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1SD312F2-CM900HB-90H Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber1
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung15.5V ~ 16.8V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)12A, 12A
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100ns, 100ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 14V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

40ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IXA531L4

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 35V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

600mA, 600mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

650V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

125ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

44-PLCC

ISL89168FRTAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

6A, 6A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (3x3)

L6384

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

14.6V ~ 16.6V

Logikspannung - VIL, VIH

1.5V, 3.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

400mA, 650mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-45°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-Mini DIP

UCC27282DRCR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

5.5V ~ 16V

Logikspannung - VIL, VIH

0.9V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 3.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

12ns, 10ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

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