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1PS59SB14,115

1PS59SB14,115

Nur als Referenz

Teilenummer 1PS59SB14,115
PNEDA Teilenummer 1PS59SB14-115
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMT3
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.850
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1PS59SB14 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1PS59SB14,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
1PS59SB14, 1PS59SB14 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 149,38 KB)
PDF1PS59SB16 Datenblatt Cover
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1PS59SB14 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Series Connection
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If800mV @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)5ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 25V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSMT3; MPAK

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

35A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 35A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SM4

DGSK8-025A

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

250V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 250V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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