1N6622US
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| Teilenummer | 1N6622US |
| PNEDA Teilenummer | 1N6622US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N6622US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N6622US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N6622US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 660V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 660V |
| Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, A |
| Lieferantengerätepaket | A-MELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 220V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 220V Kapazität @ Vr, F. 3pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AG, DO-34, Axial Lieferantengerätepaket MSD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
