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1N6622US

1N6622US

Nur als Referenz

Teilenummer 1N6622US
PNEDA Teilenummer 1N6622US
Beschreibung DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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1N6622US Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N6622US
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N6622US Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)660V
Current - Average Rectified (Io)1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 660V
Kapazität @ Vr, F.10pF @ 10V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, A
LieferantengerätepaketA-MELF
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-215AA, SMB Gull Wing

Lieferantengerätepaket

DO-215AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1SS244T-72

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

220V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 220V

Kapazität @ Vr, F.

3pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AG, DO-34, Axial

Lieferantengerätepaket

MSD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

MA3X78900L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4.5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

V10P12-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 120V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

SF30AG-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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