1N6621US
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Teilenummer | 1N6621US | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | 1N6621US | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF | ||||||||||||||||||
Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 1.435 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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1N6621US Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N6621US |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N6621US Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 440V |
Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500nA @ 440V |
Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 10V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SQ-MELF, A |
Lieferantengerätepaket | A-MELF |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Micro Commercial Co Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 40V Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall R6, Axial Lieferantengerätepaket R-6 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 2.1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 710mV @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 780mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 420mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 200pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB (DO-214AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 250ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 25pF @ 12V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |