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1N6536

1N6536

Nur als Referenz

Teilenummer 1N6536
PNEDA Teilenummer 1N6536
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 1A A AXIAL
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.356
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N6536 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N6536
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N6536, 1N6536 Datenblatt (Total Pages: 1, Größe: 91,67 KB)
PDF1N6536 Datenblatt Cover

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1N6536 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)1A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallA, Axial
LieferantengerätepaketA, Axial
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRF10H45-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

ITO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

S1AHE3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VSKE320-16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

GKR130/04

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

165A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 60A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

22mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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