1N6482HE3/96
Nur als Referenz
| Teilenummer | 1N6482HE3/96 |
| PNEDA Teilenummer | 1N6482HE3-96 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.034 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
1N6482HE3/96 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 1N6482HE3/96 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 1N6482HE3/96 Datasheet
- where to find 1N6482HE3/96
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Semiconductor Diodes Division 1N6482HE3/96
- 1N6482HE3/96 PDF Datasheet
- 1N6482HE3/96 Stock
- 1N6482HE3/96 Pinout
- Datasheet 1N6482HE3/96
- 1N6482HE3/96 Supplier
- Vishay Semiconductor Diodes Division Distributor
- 1N6482HE3/96 Price
- 1N6482HE3/96 Distributor
1N6482HE3/96 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F. | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 385mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket STmite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 220V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 220V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie SBR® Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 280µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerDI™ 5 Lieferantengerätepaket PowerDI™ 5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Semtech Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 92pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 975mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 70pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
