1N6479HE3/96
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| Teilenummer | 1N6479HE3/96 |
| PNEDA Teilenummer | 1N6479HE3-96 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N6479HE3/96 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N6479HE3/96 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N6479HE3/96 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 85ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AC Modified Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1600V Current - Average Rectified (Io) 200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 630A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AC, DO-30, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AC (DO-30) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 450A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.5V @ 500A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 110ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.5mA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall LP4 Lieferantengerätepaket LP4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
