1N5822HR0G
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| Teilenummer | 1N5822HR0G |
| PNEDA Teilenummer | 1N5822HR0G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.636 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 21 - Nov 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5822HR0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5822HR0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5822HR0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 525mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 40V |
| Kapazität @ Vr, F. | 200pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 125°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 35A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 670mV @ 35A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.1mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 4020pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket SlimDPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 35V Kapazität @ Vr, F. 980pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket DO-213AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 85pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (TO-3P) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
