1N5822G
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| Teilenummer | 1N5822G |
| PNEDA Teilenummer | 1N5822G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 14.592 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5822G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5822G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N5822G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 525mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2mA @ 40V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 125°C |
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Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1800V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 30A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 1800V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 400V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
