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1N5819

1N5819

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5819
PNEDA Teilenummer 1N5819
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 81.768
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N5819 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5819
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N5819, 1N5819 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 138,49 KB)
PDF1N5819RL Datenblatt Cover
1N5819RL Datenblatt Seite 2 1N5819RL Datenblatt Seite 3 1N5819RL Datenblatt Seite 4 1N5819RL Datenblatt Seite 5 1N5819RL Datenblatt Seite 6 1N5819RL Datenblatt Seite 7 1N5819RL Datenblatt Seite 8

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1N5819 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr500µA @ 40V
Kapazität @ Vr, F.110pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 125°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

810mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

92pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

CLS03(TE16L,PCD,Q)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

0.58V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

345pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

L-FLAT™

Lieferantengerätepaket

L-FLAT™ (4x5.5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

1N4248GP-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SK52B R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

JAN1N6391

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/553

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

22.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

680mV @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

2000pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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