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1N5818 R0G

1N5818 R0G

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5818 R0G
PNEDA Teilenummer 1N5818-R0G
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 5.994
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 19 - Nov 24 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N5818 R0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5818 R0G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N5818 R0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If550mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.55pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-204AL (DO-41)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 125°C

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Hersteller

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Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

S4K V7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 4A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S4PBHM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

B180BE-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

27pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N4003GA0

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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