1N5811US
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| Teilenummer | 1N5811US |
| PNEDA Teilenummer | 1N5811US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 15.936 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5811US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5811US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5811US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 480V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 200mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 4V @ 200mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AG, DO-34, Axial Lieferantengerätepaket DO34-A1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 200°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 4.3V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 95ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB (D²PAK) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 880mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
