1N5806TR
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Teilenummer | 1N5806TR |
PNEDA Teilenummer | 1N5806TR |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.808 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5806TR Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5806TR |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5806TR Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) | 2.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 150V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | A, Axial |
Lieferantengerätepaket | A-PAK |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 300V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
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