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1N5711

1N5711

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5711
PNEDA Teilenummer 1N5711_8B
Beschreibung RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $0,1417
500 ---------- $0,1351
1.000 ---------- $0,1284
2.500 ---------- $0,1218
5.000 ---------- $0,1162
10.000 ---------- $0,1107
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1N5711 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5711
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterDioden - RF
Datenblatt
1N5711, 1N5711 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 42,05 KB)
PDF1N5711 Datenblatt Cover
1N5711 Datenblatt Seite 2 1N5711 Datenblatt Seite 3

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1N5711 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
DiodentypSchottky - Single
Spannung - Peak Reverse (Max)70V
Strom - max15mA
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
Widerstand @ If, F.-
Verlustleistung (max.)430mW
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35

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1.2pF @ 3V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

1.2Ohm @ 3mA, 1GHz

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Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 15V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

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-

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Schottky - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

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Strom - max

110mA

Kapazität @ Vr, F.

-

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard - Single

Spannung - Peak Reverse (Max)

35V

Strom - max

100mA

Kapazität @ Vr, F.

1.1pF @ 3V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

500mOhm @ 10mA, 100MHz

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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SC-79, SOD-523

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Spannung - Peak Reverse (Max)

2V

Strom - max

50mA

Kapazität @ Vr, F.

0.5pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

8Ohm @ 10mA, 1MHz

Verlustleistung (max.)

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