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1N5619

1N5619

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5619
PNEDA Teilenummer 1N5619_81
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
Hersteller Semtech
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Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N5619 Ressourcen

Marke Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5619
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N5619 Technische Daten

HerstellerSemtech Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)250ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.27pF @ 5V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallAxial
LieferantengerätepaketAxial
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

7A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 7A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

375pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

Powermite

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

MSE07PG-M3/89A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

700mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.08V @ 700mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

780ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MicroSMP

Lieferantengerätepaket

MicroSMP

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SK55B R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FR6D05

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

EU 2ZV

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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