1N5554
Nur als Referenz
Teilenummer | 1N5554 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | 1N5554_81 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL | ||||||||||||||||||
Hersteller | Semtech | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 32 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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1N5554 Ressourcen
Marke | Semtech |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5554 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5554 Technische Daten
Hersteller | Semtech Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F. | 92pF @ 5V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | Axial |
Lieferantengerätepaket | Axial |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Sanken Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220-F2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1800V Current - Average Rectified (Io) 450A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40mA @ 1800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 760mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 85pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Powermite®3 Lieferantengerätepaket Powermite 3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 3µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |