1N5407G R0G
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Teilenummer | 1N5407G R0G |
PNEDA Teilenummer | 1N5407G-R0G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.506 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5407G R0G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5407G R0G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5407G R0G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F. | 25pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 2.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 2.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 60pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
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