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1N5404TA

1N5404TA

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5404TA
PNEDA Teilenummer 1N5404TA
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Hersteller SMC Diode Solutions
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Auf Lager 5.256
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1N5404TA Ressourcen

Marke SMC Diode Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5404TA
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N5404TA Technische Daten

HerstellerSMC Diode Solutions
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.30pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GPA804 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SD945-A

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

9A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 18A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

900pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

PMEG45A10EPDZ

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

540mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

13ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

240pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

CFP15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

MBRH15040L

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 150A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

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D-67

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-

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