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1N5402G-T

1N5402G-T

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5402G-T
PNEDA Teilenummer 1N5402G-T
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.964
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N5402G-T Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5402G-T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N5402G-T, 1N5402G-T Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 63,46 KB)
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1N5402G-T Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)2µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4400V

Current - Average Rectified (Io)

4600A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150mA @ 4400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AE

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

420mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.9ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

45µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0201 (0603 Metric)

Lieferantengerätepaket

DSN0603-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

ES2C-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

18pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N1205AR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

SS110L RVG

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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