1N5402-G
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| Teilenummer | 1N5402-G |
| PNEDA Teilenummer | 1N5402-G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD |
| Hersteller | Comchip Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.564 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 13 - Jan 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5402-G Ressourcen
| Marke | Comchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5402-G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5402-G Technische Daten
| Hersteller | Comchip Technology |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-27 (DO-201AD) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 125°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 180A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 180A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 4.5mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 4150pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 HALF-PAK Lieferantengerätepaket HALF-PAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 400ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/308 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 50A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 6pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 1005 (2512 Metric) Lieferantengerätepaket 1005/SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
