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1N5400-T

1N5400-T

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5400-T
PNEDA Teilenummer 1N5400-T
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 4.428
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1N5400-T Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5400-T
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N5400-T, 1N5400-T Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 96,73 KB)
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1N5400-T Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 3A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.50pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-201AD, Axial
LieferantengerätepaketDO-201AD
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

510mV @ 2A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

75pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123F

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

8EWF04STRR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

VSSB420S-M3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

120pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

CR3-100GPP TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

30pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

CMUSH05-4 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

470mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SOT-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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