1N5399G-T
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Teilenummer | 1N5399G-T |
PNEDA Teilenummer | 1N5399G-T |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15 |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.264 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5399G-T Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5399G-T |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N5399G-T Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AC, DO-15, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-15 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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GeneSiC Semiconductor Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 320A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 60mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
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