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1N5393

1N5393

Nur als Referenz

Teilenummer 1N5393
PNEDA Teilenummer 1N5393
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.156
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N5393 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N5393
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N5393 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 1.5A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.25pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AC, DO-15, Axial
LieferantengerätepaketDO-15
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

T85HFL10S05

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

85A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20mA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-55 T-Module

Lieferantengerätepaket

D-55

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

STPSC8H065G2Y-TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

80µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

414pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK HV

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

SE80PWDHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.12V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2.4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

58pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

SlimDPAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

HSM360J/TR13

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

620mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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