1N5293UR-1
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Teilenummer | 1N5293UR-1 |
PNEDA Teilenummer | 1N5293UR-1 |
Beschreibung | CURRENT REGULATOR DIODE |
Hersteller | Microsemi |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.300 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N5293UR-1 Ressourcen
Marke | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N5293UR-1 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N5293UR-1 Technische Daten
Hersteller | Microsemi Corporation |
Serie | * |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
Current - Average Rectified (Io) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 630mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 130pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Powermite®3 Lieferantengerätepaket Powermite 3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 200ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 120V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 940mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 120V Kapazität @ Vr, F. 220pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 700mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 550pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |