1N5062TAP
Nur als Referenz
| Teilenummer | 1N5062TAP |
| PNEDA Teilenummer | 1N5062TAP |
| Beschreibung | DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 202.410 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N5062TAP Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N5062TAP |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N5062TAP Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Avalanche |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2.5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F. | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | SOD-57, Axial |
| Lieferantengerätepaket | SOD-57 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 700A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.65V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AB, B-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 35V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 680mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5mA @ 35V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-41 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 30mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 1.5pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 1005 (2512 Metric) Lieferantengerätepaket 1005/SOD-323F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
