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1N4948-TP

1N4948-TP

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4948-TP
PNEDA Teilenummer 1N4948-TP
Beschreibung DIODE GPP FAST 1A DO-41
Hersteller Micro Commercial Co
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1N4948-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4948-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N4948-TP, 1N4948-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 445,52 KB)
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1N4948-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1000V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 40V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)500ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.15pF @ 4V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-41
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 125V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

BAV5004LP-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

350V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.29V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 240V

Kapazität @ Vr, F.

2.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

0402 (1006 Metric)

Lieferantengerätepaket

X1-DFN1006-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GP2D010A065A

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

30A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

527pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

XBF10A20S-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

BYC5D-500,127

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

16ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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