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1N4448X-TP

1N4448X-TP

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4448X-TP
PNEDA Teilenummer 1N4448X-TP
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523
Hersteller Micro Commercial Co
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Auf Lager 7.758
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N4448X-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4448X-TP
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N4448X-TP, 1N4448X-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 266,16 KB)
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1N4448X-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2.5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-79, SOD-523
LieferantengerätepaketSOD-523
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC (DO-214AB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

HS5A R7G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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