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1N4448W RHG

1N4448W RHG

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4448W RHG
PNEDA Teilenummer 1N4448W-RHG
Beschreibung DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4448W RHG Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4448W RHG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N4448W RHG Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)75V
Current - Average Rectified (Io)150mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 100mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F.4pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-123F
LieferantengerätepaketSOD-123F
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

35pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

Micro SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYG23M-E3/TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SURS8115T3G-VF01

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

1N5398-T

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-15

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

SS5P4-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

520mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

280pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-277, 3-PowerDFN

Lieferantengerätepaket

TO-277A (SMPC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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