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1N4448HWT-7-G

1N4448HWT-7-G

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4448HWT-7-G
PNEDA Teilenummer 1N4448HWT-7-G
Beschreibung DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.384
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4448HWT-7-G Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4448HWT-7-G
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N4448HWT-7-G Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie*
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 16A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

175pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 250A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

7mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AB, DO-9, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AB, DO-9

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

BYV27-100-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.07V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

UF1007-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

RGP30K-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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