1N4153
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Teilenummer | 1N4153 |
PNEDA Teilenummer | 1N4153 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.446 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N4153 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N4153 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N4153 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50nA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-35 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 70A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 220A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 15mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Comchip Technology Hersteller Comchip Technology Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 6A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 100pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall R6, Axial Lieferantengerätepaket R-6 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 175V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100nA @ 175V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AA, DO-7, Axial Lieferantengerätepaket DO-7 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 820mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |