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1N4152_T50A

1N4152_T50A

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4152_T50A
PNEDA Teilenummer 1N4152_T50A
Beschreibung DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 21 - Nov 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4152_T50A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4152_T50A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N4152_T50A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)40V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If880mV @ 20mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)4ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr50nA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R3610

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

STPS8H100FP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

710mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220FPAC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

JAN1N1202AR

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/260

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 38A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AA (DO-4)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

CMPD2003 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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