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1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4150_S62Z
PNEDA Teilenummer 1N4150_S62Z
Beschreibung DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.904
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N4150_S62Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4150_S62Z
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N4150_S62Z, 1N4150_S62Z Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 26,05 KB)
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1N4150_S62Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1V @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)6ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr100nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.2.5pF @ 0V, 1MHz
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AH, DO-35, Axial
LieferantengerätepaketDO-35
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

800mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123W

Lieferantengerätepaket

SOD123W

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CD214B-R2100

Bourns

Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB (DO-214AA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

EGL34CHE3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

7pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AA (GL34)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

UD0506T-TL-HX

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TP-FA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RS2AAHR3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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