1N4150W-E3-08
Nur als Referenz
| Teilenummer | 1N4150W-E3-08 |
| PNEDA Teilenummer | 1N4150W-E3-08 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 242.850 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N4150W-E3-08 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N4150W-E3-08 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N4150W-E3-08 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100nA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-123 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-123 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2500V Current - Average Rectified (Io) 910A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.85V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 50mA @ 2500V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-200AA, A-PUK Lieferantengerätepaket B-43, Hockey PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 420mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 1.3ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 120µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 2.9pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket SSSMini2-F4-B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 320A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 60mA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214BA Lieferantengerätepaket DO-214BA (GF1) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 110pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket SMB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
