1N4149TR
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| Teilenummer | 1N4149TR |
| PNEDA Teilenummer | 1N4149TR |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 307.116 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 15 - Mär 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N4149TR Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N4149TR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N4149TR Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25nA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 175°C (Max) |
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Hersteller Bourns Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 300mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 200mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 35pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 0603 (1608 Metric) Lieferantengerätepaket 0603 (1608 Metric) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 50mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 3.9pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket fSC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 500V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 500V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 810mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1800V Current - Average Rectified (Io) 450A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 40mA @ 1800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Stud Mount Paket / Fall DO-205AA, DO-8, Stud Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 180°C |
