1N4006G B0G
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Teilenummer | 1N4006G B0G |
PNEDA Teilenummer | 1N4006G-B0G |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL |
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.698 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N4006G B0G Ressourcen
Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N4006G B0G |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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1N4006G B0G Technische Daten
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F. | 10pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.43V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262AA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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