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1N4003 TR

1N4003 TR

Nur als Referenz

Teilenummer 1N4003 TR
PNEDA Teilenummer 1N4003-TR
Beschreibung DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 5.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N4003 TR Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N4003 TR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N4003 TR, 1N4003 TR Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 217,39 KB)
PDF1N4005 TR Datenblatt Cover
1N4005 TR Datenblatt Seite 2 1N4005 TR Datenblatt Seite 3 1N4005 TR Datenblatt Seite 4 1N4005 TR Datenblatt Seite 5

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1N4003 TR Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AL, DO-41, Axial
LieferantengerätepaketDO-41
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

9A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 9A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

80µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

280pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-1

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RS3DHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

44pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS45A,143

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

125V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1nA @ 125V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AG, DO-34, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-34

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

STPS2170AF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

ECOPACK®

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

170V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2.8µA @ 170V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA Flat Leads

Lieferantengerätepaket

SMAflat

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

3A100HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

27pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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