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1N3889R

1N3889R

Nur als Referenz

Teilenummer 1N3889R
PNEDA Teilenummer 1N3889R
Beschreibung DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 15.732
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N3889R Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N3889R
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N3889R Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Current - Average Rectified (Io)12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.4V @ 12A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)200ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AA, DO-4, Stud
LieferantengerätepaketDO-4
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1.3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

29pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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STMicroelectronics

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

HS3K M6G

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

RB168VYM-40FHTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

6.7ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

2-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TUMD2M

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N5554US

Semtech

Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1000V

Kapazität @ Vr, F.

92pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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