1N3880
Nur als Referenz
Teilenummer | 1N3880 | ||||||||||||||||||
PNEDA Teilenummer | 1N3880 | ||||||||||||||||||
Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 | ||||||||||||||||||
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
Stückpreis |
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Auf Lager | 173 | ||||||||||||||||||
Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Voraussichtliche Lieferung | Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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1N3880 Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N3880 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N3880 Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) | 6A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Lieferantengerätepaket | DO-4 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AC, DO-15, Axial Lieferantengerätepaket DO-15 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 4.3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 590mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.9mA @ 60V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 40pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |