1N3879R
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| Teilenummer | 1N3879R |
| PNEDA Teilenummer | 1N3879R |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.992 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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1N3879R Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1N3879R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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1N3879R Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 15µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.24V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 85µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 90V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 780mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 90V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 890mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
