1N3767
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Teilenummer | 1N3767 |
PNEDA Teilenummer | 1N3767 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 900V 35A DO5 |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.464 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1N3767 Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 1N3767 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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1N3767 Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 900V |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Lieferantengerätepaket | DO-5 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 190°C |
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SMC Diode Solutions Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 1600pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Powerex Inc. Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2600V Current - Average Rectified (Io) 1200A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 1500A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 150mA @ 2600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AB, B-PUK Lieferantengerätepaket DO-200AB, B-PUK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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