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1N3296A

1N3296A

Nur als Referenz

Teilenummer 1N3296A
PNEDA Teilenummer 1N3296A
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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1N3296A Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N3296A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N3296A Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 100A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr9mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AA, DO-8, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AA (DO-8)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 200°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1400A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.31V @ 1500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

35mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-200AA, A-PUK

Lieferantengerätepaket

B-43, Hockey PUK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

CLL4150 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

SOD-80

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

NS8ATHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CMR3U-02 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

SMC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

RGP10A-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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