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1N3271

1N3271

Nur als Referenz

Teilenummer 1N3271
PNEDA Teilenummer 1N3271
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 160A DO205AB
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 7.218
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1N3271 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N3271
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N3271, 1N3271 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 578,56 KB)
PDF1N3276R Datenblatt Cover
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1N3271 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)160A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr12mA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AB, DO-9, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SMBflat

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SCS110KGC

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

650pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

SBRT20M80SLP-13

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

610mV @ 20A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

160µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SBR8E45P5-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

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Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

510mV @ 8A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

350µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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