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1N3165

1N3165

Nur als Referenz

Teilenummer 1N3165
PNEDA Teilenummer 1N3165
Beschreibung DIODE STUD MNT 240A 250V DO-9
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 8.910
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 12 - Jan 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N3165 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N3165
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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1N3165 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie*
Diodentyp-
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)-
Current - Average Rectified (Io)-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If-
Geschwindigkeit-
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

20pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SS210LHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SF36G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS7002VH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

70V

Current - Average Rectified (Io)

70mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

100ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

PG-SC79-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

MR750

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Button, Axial

Lieferantengerätepaket

Microde Button

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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