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1N2138AR

1N2138AR

Nur als Referenz

Teilenummer 1N2138AR
PNEDA Teilenummer 1N2138AR
Beschreibung DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 6.180
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 10 - Nov 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N2138AR Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N2138AR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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1N2138AR Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 60A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AB, DO-5, Stud
LieferantengerätepaketDO-5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

480mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

NBRB8H100T4G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

710mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

4.5µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

600pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

BY458TR

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SOD-57, Axial

Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

140°C (Max)

UGB8FTHE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

12TQ035

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

900pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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