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1N1204A

1N1204A

Nur als Referenz

Teilenummer 1N1204A
PNEDA Teilenummer 1N1204A
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

1N1204A Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1N1204A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
1N1204A, 1N1204A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 768,16 KB)
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1N1204A Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 12A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AA, DO-4, Stud
LieferantengerätepaketDO-4
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Hersteller

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

20µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SD103BW-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

350mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-123

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1N5619GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

25pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AC, DO-15, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AC (DO-15)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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